PAC Untersuchung
Einbau und Komplexbildung von
Dotieratomen
Identifikation von Defekten auf
atomarer Ebene
Untersuchung der Bildung von
Kompensationszentren
Optische Methoden
Identifikation von
Dotierungsleveln in
II-VI Verbindungen mittels
Photolumineszenz mit
radioaktiven Dotieratomen
UV-VIS Untersuchungen
Diffusion
Analyse der Diffusion von
Verunreinigungen in II-VI
Verbindungen mittels
Isotopenindikatortechnik
MOCVD Wachstum
MOCVD Wachstum von II-VI
Verbindungen
In-Situ Dotierung mit der PAC Probe
111In
Hall-Messungen
Untersuchung der elektrischen Eigenschaften
von undotierten und dotierten II-VI-Verbindungen
|
Nanokristalline Halbleiter
Dotierung von nanokristallinem InP mit
dem Akzeptor Cd
mittels radioaktiver
Transmutation
Einbau des Donators In in
nanokristallinem ZnO
Nanokristalline Metalle und Legierungen
Untersuchung von
Korngrenzenstrukturen mittels
PAC-Methode
Mikroskopische Inhomogenitäten in
nanokristallinen NiCu
Legierungen
Diffusion von Verunreinigungen in Nano-Ni
|
Ab initio DFT
Rechnungen
Zusätzliche Informationen
zu Defekten, welche
experimentell mittels
EFG-Messungen charakterisiert wurden:
- Chemische
Beschaffenheit
- Ladungszustand
- Gitterrelaxationen
Theoretische Analyse der
elektronischen Struktur der
Dotieratome und der
intrinsischen Defekte
|