II-VI Halbleiter

Die Anwendung von II-VI Verbindungshalbleitern mit gro�er Bandl�cke als Grundmaterialien f�r optoelektronische Ger�te, speziell in der Region der blauen Wellenl�nge, h�ngt haupts�chlich von der Realisation von hoch p- und n-leitenden Bereichen in der selben Verbindung ab. W�hrend in ZnSe p-leitende Bereiche durch die Kompensation von Dotieratomen st�rker limitiert sind als n-leitende Bereiche, stellt sich das Problem der Dotierung von CdTe genau umgekehrt dar. Jedoch sind p-n Verbindungen aus CdTe or HgCdTe im Bereich der Bauelemente schon realisiert worden. K�rzlich tauchte durch eine RF Plasmaquelle produzierter Stickstoff als ein eher erfolgreiches Dotierelement f�r p-leitende Bereiche in MBE gewachsenen ZnSe-Schichten mit Akzeptorkonzentrationen in der H�he von 10¹⁸ cm^-3 auf. Trotz dieses experimentellen Fortschrittes bleiben einige fundamentale physikalische Probleme ungel�st. Die Effekte, welche zu einer Limitierung der Ladungstr�gerkonzentration bei hohen N-Konzentrationen f�hren, sind noch nicht verstanden. Weiterhin best�tigen die neuesten Experimente den aussergew�hnlichen Status von N unter den Gruppe V Akzeptoren betreffend seiner Effizienz als p-Dotierelement im Falle von ZnSe und CdTe. Die Anwendbarkeit der alternativen Dotierelemente P, As und Sb, speziell f�r den MOVPE Prozess, w�rde den technischen Aufwand f�r die Bauelementeproduktion im Vergleich zur Dotierung w�hrend des MBE Wachstums mit einem N-Plasma stark reduzieren. Die in unsere Gruppe mittels gest�rter gamma-gamma Winkelkorrelation (PAC) durchgef�hrten Experimente dienen einer systematischen Untersuchung der Gruppe V Akzeptoren auf atomarer Skala und liefern dabei eine Erg�nzung zu Techniken wie die Photolumineszenzspektroskopie oder elektrischen Messungen, welche nicht so sensibel f�r die chemische Beschaffenheit der involvierten Defektarten sind.

Gitterstruktur von CdTe

Webadministrator 19-03-2013