II-VI Halbleiter

Die Anwendung von II-VI Verbindungshalbleitern mit großer Bandlücke als Grundmaterialien für optoelektronische Geräte, speziell in der Region der blauen Wellenlänge, hängt hauptsächlich von der Realisation von hoch p- und n-leitenden Bereichen in der selben Verbindung ab. Während in ZnSe p-leitende Bereiche durch die Kompensation von Dotieratomen stärker limitiert sind als n-leitende Bereiche, stellt sich das Problem der Dotierung von CdTe genau umgekehrt dar. Jedoch sind p-n Verbindungen aus CdTe or HgCdTe im Bereich der Bauelemente schon realisiert worden. Kürzlich tauchte durch eine RF Plasmaquelle produzierter Stickstoff als ein eher erfolgreiches Dotierelement für p-leitende Bereiche in MBE gewachsenen ZnSe-Schichten mit Akzeptorkonzentrationen in der Höhe von 10¹⁸ cm^-3 auf. Trotz dieses experimentellen Fortschrittes bleiben einige fundamentale physikalische Probleme ungelöst. Die Effekte, welche zu einer Limitierung der Ladungsträgerkonzentration bei hohen N-Konzentrationen führen, sind noch nicht verstanden. Weiterhin bestätigen die neuesten Experimente den aussergewöhnlichen Status von N unter den Gruppe V Akzeptoren betreffend seiner Effizienz als p-Dotierelement im Falle von ZnSe und CdTe. Die Anwendbarkeit der alternativen Dotierelemente P, As und Sb, speziell für den MOVPE Prozess, würde den technischen Aufwand für die Bauelementeproduktion im Vergleich zur Dotierung während des MBE Wachstums mit einem N-Plasma stark reduzieren. Die in unsere Gruppe mittels gestörter gamma-gamma Winkelkorrelation (PAC) durchgeführten Experimente dienen einer systematischen Untersuchung der Gruppe V Akzeptoren auf atomarer Skala und liefern dabei eine Ergänzung zu Techniken wie die Photolumineszenzspektroskopie oder elektrischen Messungen, welche nicht so sensibel für die chemische Beschaffenheit der involvierten Defektarten sind.

Gitterstruktur von CdTe

Webadministrator 19-03-2013